MRF6V3090NBR1
NXP USA Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | MRF6V3090NBR1 |
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Hersteller / Marke: | Freescale / NXP Semiconductors |
Teil der Beschreibung.: | RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 50 V |
Spannung - Nennwert | 110 V |
Technologie | LDMOS |
Supplier Device-Gehäuse | TO-272 WB-4 |
Serie | - |
Leistung | 18W |
Verpackung / Gehäuse | TO-272BB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Rauschmaß | - |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Gewinnen | 22dB |
Frequenz | 860MHz |
Aktuelle Bewertung (AMPs) | - |
Strom - Test | 350 mA |
Grundproduktnummer | MRF6 |
MRF6V3090NBR1 Einzelheiten PDF [English] | MRF6V3090NBR1 PDF - EN.pdf |
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
FET RF 110V 860MHZ TO270-4
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
LATERAL N CHANNEL SINGLE-ENDED B
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
FET RF 110V 450MHZ TO-272-4
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FET RF 110V 450MHZ TO-272-4
RF TRANS POWER UHF BAND N-CHAN
MRF6V3090N - BROADBAND RF POWER
FET RF 110V 860MHZ TO272-4
FET RF 110V 450MHZ TO-270-4
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() MRF6V3090NBR1NXP USA Inc. |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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